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SKB02N60 E3266 /Infineon Technologies/分立半导体产品
SKB02N60 E3266的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:SKB02N60

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

IGBT 类型:NPT

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):12A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,2A

功率 - 最大值:30W

开关能量:64µJ

输入类型:标准

栅极电荷:14nC

25°C 时 Td(开/关)值:20ns/259ns

测试条件:400V,2A,118 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):130ns

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-TO263-3

其它名称:SKB02N60E3266ATMA1SP000012417

供应商SKB02N60 E3266
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